Родился в 1939 году на юге Украины.
В 1956 году окончил среднюю школу в г. Симферополе.
После двух лет работы в 1958 г. поступил в Московский Энергетический институт (МЭИ) на факультет электронной техники по специальности "Полупроводниковые приборы".
По окончании института в 1964 г. работал по распределению в НИИ "Пульсар" в лаборатории Ройзина Н.М.
В 1967 г. перешел в МИЭМ на кафедру "Электроника", где и прошел путь от инженера кафедры до доцента.
Кандидатскую диссертацию защитил в 1978 г.
Как преподаватель Медведев В.В. выполнял все виды работ учебного процесса. Читал курсы лекций, связанные с физикой полупроводников и полупроводниковых приборов, электроникой, технологией интегральных микросхем.
Круг научных интересов. Тонкопленочная технология. Исследование по-верхностных свойств кремния и свойств границы раздела "Кремний-двуокись кремния" с целью получения высокой стабильности характеристик и параметров МДП-структур. Результатом этих исследований явилась разработка высокостабильных МДП-варикапов, способных работать в модуляторах измерителей малых постоянных токов.
Ветеран труда. Награжден медалью "850 лет Москве".
Радиолюбитель.
Хобби: фотография, горный туризм, садоводство, ремонт телевизоров, часов и др.