Окончила Инженерно-физический институт по специальности инженер-физик по физическому приборостроению. По окончании института ра-ботала в НИИ самолетного оборудования, участвовала в создании системы "слепой "посадки самолетов и в летных испытаниях своего прибора, вхо-дящего в эту систему.
Далее принимала участие в разработке и настройке комплекса противоракетной обороны (1961-1964 г.г.).
С 1965 года на кафедре "Электроника" Московского института электронного машиностроения занималась исследованием влияния технологии изготовления МДП-структур на радиационную стойкость МДП интегральных схем. В работе использовался метод многофакторного эксперимента, когда в едином технологическом цикле были изготовлены все исследуемые структуры и одновременно были подвержены облучению. Этот метод позволил получить объективную информацию о влиянии радиации на различные типы МДП-структур.
Результаты исследования объявлялись на научных конференциях, публиковались в научных статьях. Ганцевой Р.И. была защищена кандидатская диссертация "Радиационная стойкость МДП-структур и МДПИС"
Кроме научной работы, Ганцева Р.И. вела на кафедре учебную работу: читала лекции по дисциплинам "Основы электроники", "Электроэлементы", вела семинары и лабораторные занятия.
Профорг кафедры.