В 1967 году на кафедре аспирантом
Жарковым А.В. создается
физико-технологическая лаборатория по микроэлектронике.
Штат этой лаборатории небольшой - четыре человека и укомплектовывается
он выпускниками из групп микроэлектроники.
Лаборатория создается в тесном сотрудничестве с НИИ "Пульсар"
и совместно с ним проводит ряд научно-исследовательских
работ. Благодаря исключительной энергии и организаторским
способностям Жаркова А.В.
с помощью НИИ "Пульсар" лаборатория оснащается
необходимым технологическим оборудованием, уникальным измерительным
комплексом и материалами.Большую работу в лаборатории выполняли
старший преподаватель Жарков А.В.,
к.т.н. доцент Медведев В.В.
инженеры Курицын А.П.,
Мазловский А.С., Малахов Б.А., Лихова Т.А.
В лаборатории проводились исследования физических свойств
МДП-структур, разрабатывались новые приборы на основе структуры
кремний - двуокись кремния: варикапы, холодные катоды. В
результате исследований была разработана уникальная технология
получения структуры Si-SiO2 с минимально возможным зарядом
на границе раздела. На ее основе были созданы варикапы с
высокостабильными характеристиками, способные работать в
преобразователях высокочувствительных электрометров. Лабораторией
было выполнено более десяти поисковых научно-исследовательских
работ, по результатам которых опубликовано более десяти
научных статей и защищена одна кандидатская диссертация.
